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图四、长周片上微型热电子发射源阵列（a）片上微型电子发射源阵列的照片。作者认为，安全该微型热电子发射阵列具有良好的稳定性、可重复性和均匀性，其作为片上集成电子源具有广阔的应用前景。然而，文化到目前为止，具有稳定可靠发射性能的实用化片上电子源还很难实现。

实验结果显示，企业微型发射源在3.9V的低驱动电压下即可获得高达约20μA的发射电流和约1.33Acm-2的发射电流密度（与现有的商用热电子源相同），企业且其时间响应实测小于1μs（较现有的商用热电子源相同降低四个量级）。国网高质（c）在约5×10−4Pa下测量的27个周期内的电子发射性能。

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值得一提的是，电力董事作者制备的器件在≈5×10-4Pa的低真空下，电力董事也表现出稳定的（±1.2%发射电流波动30min）和可重复的（±0.2%驱动电压变化27个循环周期）发射性能。在基于范德华异质结的半导体器件领域内，长周该研究丰富了能带工程的策略。

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